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部品型式

4AM11

製品説明
仕様・特性

4AM11 Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array ADE-208-1209 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features • Low on-resistance N-channel: RDS(on) ≤ 0.17 , VGS = 10 V, I D = 2.5 A P-channel: RDS(on) ≤ 0.2 , VGS = –10 V, I D = –2.5 A • Capable of 4 V gate drive • Low drive current • High speed switching • High density mounting • Suitable for H-bridged motor driver

ブランド

HI

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