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2SD634
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 2000(Min.) @IC= 3.0A ·Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 3.0A ·Complement to Type 2SB674 APPLICATIONS ·High power switching applications. ·Hammer drive, pulse motor drive applications. .cn mi e scs .i w ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL w w PARAMETER VALUE UNIT 80 V 80 V VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 7 A IB Base Current-Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 40 W TJ Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ B Tstg Storage Temperature Range isc Website：www.iscsemi.cn 2SD634
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