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YG902C2R
YG902C2R (200V / 10A TO-22OF15) Outline Drawings LOW LOSS SUPER HIGH SPEED DIODE 10±0.5 ø3.2 4.5±0.2 +0.2 -0.1 2.7±0.2 1.2±0.2 13Min 3.7±0.2 Features 15±0.3 6.3 2.7±0.2 +0.2 0.7±0.2 2.54±0.2 Low VF Super high speed switching. High reaibility by planer design. 0.6 -0 2.7±0.2 JEDEC EIAJ Applications SC-67 Connection Diagram High speed power switching 2 Maximum Ratings and Characteristics 1 3 Absolute Maximum Ratings Item Symbol Conditions Rating Unit Repetitive Peak Renerse Voltage VRRM 200 V Repetitive Peak Surge Reverse Voltage VRSM 200 V Isolating Voltage Viso 1500 V Average Output Current IO Suege Current IFSM Operating Junction Temperature Storage Temperature Terminals to Case, AC. 1min. duty=1/2, Tc=115°C Square wave 10* A 50 A Tj -40 to +150 °C Tstg -40 to +150 °C Sine wave 10ms Electrical Characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified ) Item Symbol Conditions * Out put current of centertap full wave connection. Max. Unit Forward Voltage Drop ** VF IF=5A Reverse Current ** IR VR=VRRM 100 µA Reverse recovery time trr IF=0.1A,IR=0.2A,Irec=0.05A 35 ns Thermal Resistance Rth(j-c) Junction to case 0.95 3.5 V °C/W ** Rating per element Mechanical Characteristics Mounting torque Weight Recommended torque 0.3 to 0.5 2.3 N·m g A-228
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
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