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部品型式

RB530XNTR

製品説明
仕様・特性

RB530XN Diodes Schottky barrier diode RB530XN Applications Low current rectification External dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) Each lead has same dimension Features 1) Small mold type. (UMD6) 2) Low IR 3) High reliability. Structure Construction Silicon epitaxial planar Taping dimensions (Unit : mm) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Param eter Revers e vltage Average rectified forward current *1 Forward current s urge peak 60Hz 1cyc Junction tem perature S torage tem perature Sym bol *1 Lim its Unit VR Io IFSM Tj 30 100 1 125 V mA A Ts tg -40 to +125 (*1) Rating of per diode Electrical characteristics (Ta=25 C, per chip) Param eter Forward voltage Revers e current Sym bol Min. Typ. Max. Unit VF1 - - 0.40 V Conditions VF2 - - 0.53 V IF =100m A IR - - 1 μA VR =10V IF =10m A Rev.B 1/3

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

　
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