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RJK0631JPD
Preliminary Datasheet RJK0631JPD Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching R07DS0252EJ0300 Rev.3.00 Jul 24, 2013 Features • • • • • For Automotive application Low on-resistance : RDS(on) = 12 mΩ typ. Capable of 4.5 V gate drive Low input capacitance: Ciss = 1350 pF typ AEC-Q101 compliant Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C (Package name: DPAK (S)) 2, 4 D 4 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain 1 G 1 2 3 S 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Body-drain diode reverse drain peak current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipation Channel temperature Storage temperature Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) Note1 IDR IDR (pulse) Note1 IAP Note2 Value 60 ±20 30 120 30 120 27 Unit V V A A A A A EAR Note2 Pch Note3 Tch Note4 Tstg 62.5 45 175 –55 to +150 mJ W °C °C Notes: 1. PW ≤ 10μs duty cycle ≤ 1% 2. Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω 3. Tc = 25°C 4. AEC-Q101 compliant Thermal Impedance Characteristics • Channel to case thermal impedance θch-c: 3.33°C/W R07DS0252EJ0300 Rev.3.00 Jul 24, 2013 Page 1 of 6
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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