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部品型式

FT5723M

製品説明
仕様・特性

FT5723P Transistors Independent Transistor Array Military/High-RelN Number of Devices4 Type (NPN/PNP) V(BR)CEO (V) V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A) P(D) Max. (W)400m Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC) I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.35 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)200m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) Emitter-Base Diode (Y/N) Semiconductor Material Package StyleDIP

ブランド

FUJITSU

現況

富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。

会社名

株式会社ソシオネクスト

本社国名

日本

事業概要

システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業

供給状況

　
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