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R5007ANJFU7TLPBF
R5007ANJ Nch 500V 7A Power MOSFET Datasheet l Outline LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.05Ω ID ±7A SC-83 PD 40W TO-263 l Inner circuit l Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Embossed Tape Packing l Application Type Switching Power Supply Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 330 24 1000 TL R5007ANJ l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Symbol VDSS ID*1 ID*1 ID,pulse*2 VGSS EAS*3 EAR*4 IAR*3 PD Tj Tstg TC = 25°C TC = 100°C Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche energy, repetitive Avalanche current Power dissipation (Tc = 25°C) Junction temperature Range of storage temperature Reverse diode dv/dt dv/dt Value 500 ±7 ±3.4 ±28 ±30 3.5 2.8 3.5 40 150 -55 to +150 15 Unit V A A A V mJ mJ A W ℃ ℃ V/ns www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/13 20150730 - Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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