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DAN601
DAN601 / DAP601 (200 mW) DAN601 / DAP601 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Diodensätze mit Allzweckdioden Version 2008-04-15 Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.5±0.2 18±0.2 6.6±0.2 Type Typ 3 4 5 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] 2 18 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 6 x 2.54 1 80 V 7-pin Plastic case 7-Pin Kunststoffgehäuse Ø 0.5 3.5 200 mW 6 7 1 “DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden 2 3 4 5 6 7 “DAP” common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) DAN601 80 80 DAP601 80 80 Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25°C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25°C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 IFAV IFAV 100 mA 2) 33 mA 2) IFAV IFAV 100 mA 2) 33 mA 2) IFSM 500 mA Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
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