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部品型式

CM200DY-12H

製品説明
仕様・特性

CM200DY12H Transistors Half Bridge IGBT Power Module Isolated Case (Y/N)Yes Circuits Per Package1 V(BR)CES (V)600 V(BR)GES (V)20 I(C) Max. (A)200 Absolute Max. Power Diss. (W)780 Minimum Operating Temp (øC)-40 Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case.35 I(CES) Min. (A)1.0m @V(CES) (V) (Test Condition)600 I(GES) Max. (A)500n @V(GES) (V) (Test Condition)20 V(CE)sat Max. (V)2.8 @I(C) (A) (Test Condition)200 @V(GE) (Test Condition)15 V(GE)th Max. (V)7.5 @I(C) (A) (Test Condition)20m @V(CE) (V) (Test Condition) g(fe) Min. (S) Trans. admitt. g(fe) Max. (S) Trans. admitt.

ブランド

MITSUBISHI

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

　
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