デュアルインライン型
Bridge Diode
Dual In-Line Package
S1WB(A)□/60B
■外観図 OUTLINE
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
Package：1W
10.5
800V 1A
④
①
品名略号
Type No.
特長
• 小型 DIP パッケージ
• 高 IFSM
• 耐湿性に優れ高信頼性
S1WB
2076
①＋
③∼
②∼
6.5
③
級表示
（例）
Class
Feature
④−
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
11
• Small-DIP
• Large IFSM
• High-Reliability
3.1
Unit : mm
Weight : 0.46g typ.）
（
Package：1W
10.5
④
品名略号
Type No.
①
④−
S1WB
6043
③
③∼
②∼
6.5
②
級表示
（例）
Class
①＋
ロッ
ト記号
（例）
Date code
3.1
4.6
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection”
.
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
記号
条 件
Symbol Conditions
品 名
Type No.
S1WB
（A）
□
60
80
Tstg
℃
150
℃
600
VRM
IFSM
It
2
単位
Unit
−40∼150
Tj
IO
S1WB 60B
（A）
60
（VRSM＝700V）
50Hz 正弦波，抵抗負荷，Ta =25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta =25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子当たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj=25℃， per diode
800
600
V
A
1
30
50
A
4.5
16
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
VF
逆電流
Reverse Current
IR
熱抵抗
Thermal Resistance
22
（J534-1）
θ
jl
θ
ja
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR =VRM, パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF = 0.5A,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
MAX
1.0
V
MAX
10
μA
MAX
10
MAX
65
℃/W
