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AU01-15
ZENER DIODE AU01 FEATURES OUTLINE DRAWING • For stabilized power supply. • Diffused-junction. Glass passivated and encapsulated. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbols Items Permissible Power Dissipation Units Ratings P W 2.5 Tj °C -40 ~ +165 Storage Temperature T stg °C -40 ~ +165 Maximum Permissible Current Non-Repetitive Peak Reverse OneCycle Dissipation I ZM mA Refer to characteristics column P RSM Wp 160 Operating Junction Temperature Notes (1) Lead mounting : Lead temperature 280°C max. to 3.2mm from body for 5sec. max.. (2) Mechanical strength : Bending 90°×2 cycles or 180°×1 cycle, Tensile 3kg, Twist 90°×1 cycle. CHARACTERISTICS(T L =25°C) Type AU01-07 AU01-08 AU01-09 AU01-10 AU01-11 AU01-12 AU01-13 AU01-15 AU01-16 AU01-18 AU01-20 AU01-22 AU01-24 AU01-27 AU01-30 AU01-33 Characteristics Zener Voltage Vz (V) Maximum Dynamic Impedance Minimum Maximum Zz (ohm) 6.2 7.7 8.5 9.4 10.4 11.4 12.4 13.5 15.3 16.8 18.8 20.8 22.7 25.1 28.0 31.0 7.9 8.7 9.6 10.6 11.6 12.7 14.1 15.6 17.1 19.1 21.2 23.3 25.6 28.9 32.0 35.0 7 3 3 5 5 8 8 12 12 15 15 15 15 15 15 15 Test Current Iz (mA) 65 65 65 65 65 65 65 40 40 40 40 40 25 25 25 25 Maximum Permissible Current (TL=85°C) (L=10mm) I ZM (mA) Typical Zener Voltage Temperature Coefficient γz(%/°C) 335 300 260 235 210 185 175 162 150 130 120 107 100 87 80 75 0.035 0.052 0.062 0.067 0.070 0.074 0.076 0.080 0.082 0.084 0.086 0.087 0.089 0.090 0.091 0.092 PDE-AU01-2 P 1 / 4
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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