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RT2N09M-T11-1
RT2N09M COMPOSITE TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE OUTLINE DRAWING DESCRIPTION Unit:mm 2.1 RT2N09M is a composite transistor with built-in bias resistor 1.25 0.2 FEATURE ●Built-in bias resistor ( R1=2.2 KΩ , R2=47KΩ ) ① ⑤ 0.65 2.0 ●Mini package for easy mounting 0.65 ② APPLICATION ④ ③ 0.13 0∼0.1 0.65 0.9 Inverted circuit , switching circuit , interface circuit , driver circuit ⑤ ④ RTr2 RTr1 R1 R2 ① MAXIMUM RATINGS Symbol R2 ② R1 ③ TERMINAL CONNECTOR ① ：BASE１ ② ：EMITTER （COMMON ） ③ ：BASE２ ④ ：COLLECTOR２ ⑤ ：COLLECTOR１ JEITA：− JEDEC ：− （Ta=25℃ （ ）RTr1、RTr2 ） Parameter Ratings Unit VCBO Collector to Base voltage 50 VEBO Emitter to Base voltage 6 Collector to Emitter voltage 50 V IC Collector current 100 mA I CM Peak Collector current 200 Collector dissipation （Total Ta=25℃ ） 150 mW Tj Junction temperature ＋150 ℃ Tstg Storage temperature -55∼＋150 ℃ ④ mA PC ⑤ V VCEO MARKING V ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION N D ① ② ③
MITSUBISHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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