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STN1N20
STN1N20 N-channel 200 V, 1.2 Ω 1 A, SOT-223 , MESH OVERLAY™ Power MOSFET Features Type RDS(on) max ID STN1N20 ■ VDSS 200 V < 1.5 Ω 1A 100% avalanche tested 3 du o 1 Application ■ (s) ct 4 2 Pr e SOT-223 Switching applications let o Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process. The new patented STrip layout coupled with the company’s proprietary edge termination structure, makes it suitable in converters for lighting applications. )(s bs O Figure 1. Internal schematic diagram ct u od r P e let o bs O Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging STN1N20 N1N20 SOT-223 Tape and reel June 2011 Doc ID 6772 Rev 3 1/12 www.st.com 12
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
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