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HRD0103CKRF-E
HRD0103C Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying REJ03G0070-0400 Rev.4.00 Jan 09, 2009 Features • Low reverse voltage drop and suitable for high efficiency reverse current. • Lineup of environmental friendly Halogen free type (HRD0103C-N) • Super small Flat Lead Package (SFP) is suitable for compact and high-density surface mount design. Ordering Information Part No. HRD0103CKRF Laser Mark Package Name Package Code Taping Abbreviation (Quantity) S6 SFP PUSF0002ZB-A KRF (8,000 pcs / reel) HRD0103C-NKRF (Halogen-free type) Pin Arrangement Cathode mark Mark 1 S6 2 1. Cathode 2. Anode REJ03G0070-0400 Rev.4.00 Jan 09, 2009 Page 1 of 5 HRD0103C Main Characteristics 10–3 1.0 Pulse test Pulse test 10–4 Ta = 75°C 10–2 Ta = 25°C 10–3 10 –5 10–6 10–5 Ta = 75°C 0 0.2 0.4 0.6 0.8 10–6 Ta = 50°C 10–7 –4 10 Reverse current IR (A) Forward current IF (A) 10–1 Ta = 25°C 10–8 1.0 0 5 10 15 20 25 30 Forward voltage VF (V) Reverse voltage VR (V) Fig.1 Forward current vs. Forward voltage Fig.2 Reverse current vs. Reverse voltage 0.12 0.03 0A 0.1 t T t D=— T Ta = 25°C 0.08 Reverse power dissipation Pd (W) Forward power dissipation Pd (W) 0V D = 1/6 sin D = 1/3 D = 1/2 DC 0.06 0.04 0.02 0 0 0.05 0.10 0.15 0.025 D = 5/6 t T t D=— T Tj = 125°C 0.020 D = 2/3 D = 1/2 0.015 sin 0.01 0.005 0 0 10 20 30 40 Forward current IF (A) Reverse voltage VR (V) Fig3. Forward power dissipation vs. Forward current Fig4. Reverse power dissipation vs. Reverse voltage REJ03G0070-0400 Rev.4.00 Jan 09, 2009 Page 3 of 5
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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