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部品型式

QBH233

製品説明
仕様・特性

BD233 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)45 V(BR)CBO (V)45 I(C) Max. (A)2.0 Absolute Max. Power Diss. (W)25 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)50u @V(CBO) (V) (Test Condition)45 V(CE)sat Max. (V).60 @I(C) (A) (Test Condition)1.0 @I(B) (A) (Test Condition)100m h(FE) Min. Current gain.40 h(FE) Max. Current gain.250 @I(C) (A) (Test Condition)150m @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq3.0M @I(C) (A) (Test Condition)250m @V(CE) (V) (Test Condition)10 t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.1.0u

ブランド

QBIT

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