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HAT1069C-EL-E
HAT1069C Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching REJ03G0164-0200Z Rev.2.00 Dec.04.2003 Features • Low on-resistance RDS(on) = 38 mΩ typ (at VGS = –4.5 V) • High speed switching • Capable of 1.8 V gate drive • High density mounting Outline CMFPAK - 6 2 3 4 5 DDD D 6 G 1 S 1 Rev.2.00, Dec.04.2003, page 1 of 7 Index band 4 5 6 2 3 1. Source 2. Drain 3. Drain 4. Drain 5. Drain 6. Gate
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
