製品説明 仕様・特性: AT41511TR1 Transistors Bipolar NPN UHF/Microwave Transisitor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)12 V(BR)CBO (V)20 I(C) Max. (A)50m Absolute Max. Power Diss. (W)225m Minimum Operating Temp (øC)-65þ Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)200u @V(CBO) (V) (Test Condition)3.0 h(FE) Max. Current gain.300 @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) Power Gain Min. (dB)11 @I(C) (A) (Test Condition)5.0m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 @Freq. (Hz) (Test Condition)2.4G Noise Figure Min. (dB)1.4Â @I(C) (A) (Test Condition)

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