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BAT54CTR
SO T2 3 BAT54 series Schottky barrier diodes Rev. 5 — 5 October 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits Low forward voltage Low capacitance AEC-Q101 qualified 1.3 Applications Ultra high-speed switching Line termination Voltage clamping Reverse polarity protection 1.4 Quick reference data Table 1. Quick reference data Tamb = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Per diode reverse voltage VR forward voltage VF reverse current IR [1] - - 30 V IF = 100 mA [1] - - 800 mV VR = 25 V [1] - - 2 A Pulse test: tp 300 s; 0.02. 2. Pinning information Table 2. Pin Pinning Description Simplified outline Graphic symbol BAT54 1 anode 2 not connected 3 cathode 3 3 1 1 2 2 n.c. 006aaa436
PHILIPS
2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月 社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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