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部品型式

BUH517D

製品説明
仕様・特性

BUH517 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)700 V(BR)CBO (V)1.7k I(C) Max. (A)8.0 Absolute Max. Power Diss. (W)60 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)1.0m× @V(CBO) (V) (Test Condition)1.7k V(CE)sat Max. (V)1.5 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @I(B) (A) (Test Condition)1.25 h(FE) Min. Current gain.6.0 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

ブランド

STM

会社名

STMicroelectronics NV

本社国名

スイス

事業概要

半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。

供給状況

　
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