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部品型式

LT1096L

製品説明
仕様・特性

2SB1096L Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)150 V(BR)CBO (V)200 I(C) Max. (A)2.0 Absolute Max. Power Diss. (W)25 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)50uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.60 h(FE) Max. Current gain.120 @I(C) (A) (Test Condition)400m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq5.0M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

ブランド

LT

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