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MMBTA42LT1
SMBTA42/MMBTA42 NPN Silicon High-Voltage Transistors • Low collector-emitter saturation voltage 2 3 • Complementary types: 1 SMBTA92 / MMBTA92(PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 Type SMBTA42/MMBTA42 Marking s1D Pin Configuration 1=B 2=E Package SOT23 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Collector-emitter voltage VCEO 300 Collector-base voltage VCBO 300 Emitter-base voltage VEBO 6 Collector current IC 500 Base current IB 100 Total power dissipation- Ptot 360 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg Thermal Resistance Parameter Junction - soldering point1) Symbol RthJS Value Unit V mA TS ≤ 74 °C -65 ... 150 Value ≤ 210 Unit K/W 1For calculation of R thJA please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation) 1 2011-12-19
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
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