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RB095B-60TL
Data Sheet Schottky Barrier Diode RB095B-60 Dimensions(Unit : mm) Land size figure(Unit : mm) 6.0 6.0 Applications General rectification 1.6 1.6 3.0 2.0 Features 1) Power mold type. (CPD3) 2) Low VF 3) High reliability CPD Construction Silicon epitaxial planar 2.3 2.3 Structure (2) (1) (3) Taping dimensions(Unit : mm) 2.0±0.05 φ1.55±0.1 0 8.0±0.1 0.4±0.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Limits Symbol 60 VRM 60 VR 6 Io 45 IFSM 150 Tj 40 to 150 Tstg (*1) Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=112C Forward voltage Reverse current Thermal impedance www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Symbol VF IR Min. - jc C C Typ. - Max. 0.58 - - 300 μA - - 6.0 C/W 1/3 2.7±0.2 Unit V V A A Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current (*1) Forward current surge peak(60Hz・1cyc)(*1) Junction temperature Storage temperature Electrical characteristic (Ta=25C) Parameter 10.1±0.1 10.1±0.1 φ3.0±0.1 8.0±0.1 0～0.5 6.8±0.1 13.5±0.2 TL 16.0±0.2 7.5±0.05 2.5±0.1 4.0±0.1 Unit V Conditions IF=3.0A VR=60V junction to case 2011.04 - Rev.G
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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