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部品型式

RD56EB2

製品説明
仕様・特性

RD2.0E ~ RD39E SILICON ZENER DIODES DO - 35 VZ : 2.0 - 39 Volts PD : 500 mW 1.00 (25.4) min. 0.079(2.0 )max. FEATURES : 0.150 (3.8) max. * Complete 2.0 to 39 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free 1.00 (25.4) min. 0.020 (0.52)max. MECHANICAL DATA Case: DO-35 Glass Case Weight: approx. 0.13g Dimensions in inches and ( millimeters ) MAXIMUM RATINGS Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified Rating Symbol Value Unit Power Dissipation PD 500 mW Forward Current IF 200 mA Junction Temperature Range Tj - 55 to + 175 °C Storage Temperature Range Ts - 55 to + 175 °C Derating Curve Power Dissipation , PD (mW) 700 600 500 400 300 200 100 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Ambient Temperture , Ta (°C) Page 1 of 4 Rev. 02 : March 25, 2005

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