SQ I P 型
Bridge Diode
Square In-line Package
■外観図 OUTLINE
S15VB□
600V 15A
25
26.5
11
①
特長
26.5
④
Feature
③
②∼
級表示(例)
Class
品名
Type No.
+①
④−
High-Reliability
Heat Resistance
Low IR
Faston terminal
ロッ
ト記号
(例)
Date code
60
89
S15VB+
②
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 高耐熱性
• 低 IR
• ファストン端子
•
•
•
•
Unit : mm
Weight : 16.2g typ.)
(
Package:S15VB
∼③
Faston tab #250 eq.
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
品 名
Type No. S15VB20 S15VB60
記号
条 件
Symbol Conditions
単位
Unit
Tstg
−40∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
IO
IFSM
2
It
Vdis
200
50Hz 正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
フィン付き
With heatsink
600
Tc = 83℃
15
フィンなし
Without heatsink Ta = 40℃
V
4.5
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
1素子当たりの規格値
2ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
per diode
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
A
200
A
200
A2s
2
kV
2
N・m
締め付けトルク
Mounting Torque
TOR
順電圧
Forward Voltage
VF
IF = 7.5A,
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
1.05
IR
VR = VRM, パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
MAX
10
μA
接合部・ケース間
Junction to Case
MAX
2.3
℃/W
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
116
(J534)
θjc
(推奨値:1N・m)
(Recommended torque : 1 N・m)
V