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部品型式

BUR52

製品説明
仕様・特性

BUR52 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified jedec TO-3 metal case, Intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings VCEO VCBO VEBO Collector Current IB PT TJ TS Base Current Power Dissipation IC ICM tp = (10 ms) @ TC = 25° Junction Temperature Storage Temperature Unit 250 350 10 Collector-Emitter Voltage (IB = 0) Collector-Base Voltage (IE = 0) Emitter-Base Voltage (IC = 0) IC Value V V V 60 80 16 350 200 -55 to +200 A A W °C THERMAL CHARACTERISTICS Symbol RthJ-C Ratings Thermal Resistance, Junction to Case COMSET SEMICONDUCTORS Value Unit 0.5 °C/W 1/3

ブランド

MOTOROLA

現況

モトローラ(Motorola, Inc., NYSE:MOT)は、かつて存在したアメリカ合衆国の電子・通信機器メーカーである。 2011年1月4日をもって、二つの独立した公開会社であるモトローラ・モビリティ及びモトローラ・ソリューションズに分割された[1]。本社所在地はシカゴ近郊のイリノイ州シャンバーグであり、分割以降はモトローラ・ソリューションズが引き継いでいる

会社名

Motorola, Incorporated

本社国名

U.S.A

事業概要

供給状況

 
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