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ET401
ET401 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)800è V(BR)CBO (V)400 I(C) Max. (A)5.0 Absolute Max. Power Diss. (W)80 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)250u° @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.20 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq2.5M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time400n t(on) Max. (s) On time.
FUJITSU
富士通株式会社から2008年3月に100%子会社「富士通マイクロエレクトロニクス」(その後、2010年4月に社名を現在の「富士通セミコンダクター」に変更)を設立した。 2015年3月1日付で、富士通セミコンダクター株式会社のシステムLSI事業は株式会社ソシオネクストに譲渡されました。
株式会社ソシオネクスト
日本
システムメモリ、ウェハーファウンドリ、販売にかかる事業
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
