HOME>在庫検索>在庫情報
MH0812
MH0812 Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)60 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)1.2 Absolute Max. Power Diss. (W)5.0 Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)5.0uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.50 h(FE) Max. Current gain.120 @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
お買い上げ小計が1万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。1万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。(送料は地域により異なります。)