製品説明 仕様・特性: TF78/30 Transistors Ge PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)24 V(BR)CBO (V)32 I(C) Max. (A)600m Absolute Max. Power Diss. (W)2.7 Maximum Operating Temp (øC)75õ I(CBO) Max. (A)30m @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.30 h(FE) Max. Current gain.150 @I(C) (A) (Test Condition)50m¤ @V(CE) (V) (Test Condition).70 f(T) Min. (Hz) Transition Freq700k¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(r) Max. (s) Rise time6.0u t(f) Max. (s) Fall time. Package StyleN/A

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TF7830 96069

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