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部品型式

BDV67D

製品説明
仕様・特性

BDV67D Transistors NPN Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)150 V(BR)CBO (V)160 I(C) Max. (A)16 Absolute Max. Power Diss. (W)200# Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition)160 h(FE) Min. Current gain.1.0k h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq40MÂ @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 V(CE)sat Max. (V)2.0 @I(C) (A) (Test Condition)10 @I(B) (A) (Test Condition)40m t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.1.0uÂ

ブランド

PHILIPS

現況

2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月　社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。

現ブランド

NXP

会社名

NXP Semiconductors

本社国名

オランダ

事業概要

高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。

供給状況

　
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