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2N60
Inchange Semiconductor Product Specification 2N6037 2N6038 2N6039 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N6034/6035/6036 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS 2N6037 VCBO Collector-base voltage 2N6038 VALUE 40 Open emitter 60 2N6039 Collector-emitter voltage 40 2N6038 Open base 2N6039 VEBO V 80 2N6037 VCEO UNIT Emitter-base voltage 60 V 80 Open collector 5 V IC Collector current 4 A ICM Collector current-peak 8 A IB Base current 0.1 A PD Total Power Dissipation 40 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -65~150 ℃ VALUE UNIT 3.12 ℃/W TC=25℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case
INFINEON
Infineon Technologies
ドイツ
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