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部品型式

ME0401

製品説明
仕様・特性

ME0401 Transistors Si PNP LP HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)50 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)600m Absolute Max. Power Diss. (W)360m Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)5.0uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.30 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)100u @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq300M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition)

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