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MP6K31
4V Drive Nch + Nch MOSFET MP6K31 Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) MPT6 (Dual) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small Surface Mount Package (MPT6). 3) Low voltage drive. (4V) (6) (5) (4) (1) (2) (3) Application Switching Inner circuit Packaging specifications Package Code Basic ordering unit (pieces) Taping TR 1000 ○ (6) (5) (4) MP6K31 Absolute maximum ratings (Ta = 25C) Parameter Limits Unit 60 (2) (3) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (5) (4) (2) (3) (1) Tr1 Source (2) Tr1 Gate (3) Tr2 Drain (4) Tr2 Source (5) Tr2 Gate (6) Tr1 Drain V VGSS 20 V Continuous ID 2 A Pulsed Continuous IDP Is *1 8 1.2 A A Pulsed Isp *1 8 A Gate-source voltage Source current (Body Diode) Symbol VDSS Drain-source voltage Drain current (1) (6) (1) Type Power dissipation Channel temperature Range of storage temperature PD Tch Tstg *2 2.0 W / TOTAL 1.4 W / ELEMENT 150 C 55 to +150 C *1 Pw10s, Duty cycle1% *2 Mounted on a ceramic board. www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 2010.09 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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