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部品型式

VN1304

製品説明
仕様・特性

, Line. <-Conductoi VN1304 VN1306 VN1310 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A. N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information BV DSS / n •^DSfON) 'o(ON) BVDGS (max) (min) TO-39 TO-92 40V 8.00 0.5A — — 60V 8.00 0.5A VN1306N2 — 100V 8.00 0.5A — VN1310N3 Order Number / Package Features Free from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of paralleling Low C|SS and fast switching speeds Excellent thermal stability Integral Source-Drain diode High input impedance and high gain Complementary N- and P-channel devices Package Options Applications Motor controls Converters Amplifiers Switches Power supply circuits Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.) Absolute Maximum Ratings S O D Drain-to-Source Voltage BV,DSS Drain-to-Gate Voltage BV,DOS Gate-to-Source Voltage Operating and Storage Temperature Soldering Temperature* TO-39 Case: DRAIN TO-92 ±20V -55°Cto+150°C 300°C Note: See Package Outline section for dimensions. * Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds. •"> - .«. ^ •• • ^••••ti* X >%*vfea-.^^ ««»« .•!•

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