HOME＞在庫検索＞在庫情報

部品型式

2N3055H

製品説明
仕様・特性

isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055H DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCER Collector-Emitter Voltage 70 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 15 A IB Base Current 7 A PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 115 W TJ Junction Temperature 200 ℃ Tstg Storage Temperature -65~200 ℃ MAX UNIT 1.52 ℃/W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal Resistance,Junction to Case isc Website：www.iscsemi.cn 1

ブランド

TI

会社名

Texas Instruments Incorporated

本社国名

U.S.A

事業概要

世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。

供給状況

　
Not pic File
お探し部品2N3055Hは、clevertechの営業STAFFが在庫調査を行いemailにて見積回答致します。

「見積依頼」をクリックして　どうぞお問合せ下さい。


●当サイトの取引の流れ

見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払　となります。


お取引内容はこちら

0.0468719006