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部品型式

ME9002

製品説明
仕様・特性

ME9002 Transistors Bipolar NPN UHF/Microwave Transisitor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)12 V(BR)CBO (V)30 I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)250m Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)300nØ @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq400M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) Power Gain Min. (dB) @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition) Noise Figure Min. (dB) @I(C) (A) (Test Condition)

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