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部品型式

BC253B

製品説明
仕様・特性

BC253B Transistors Si PNP LP HF BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)20 V(BR)CBO (V)25 I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)500m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(CBO) Max. (A).05u @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain. h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq200M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain.240ó @I(C) (A) (Test Condition)2.0m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0

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