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BU126
Inchange Semiconductor Product Specification BU126 Silicon NPN Power Transistors ・ DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High breakdown voltage APPLICATIONS ・For voltage regulator ,inverter,switching mode power supply applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 体 半导 电 TOR UC Absolute maximum ratings(Ta=℃) 固 SYMBOL PARAMETER OND CONDITIONS VALUE UNIT 750 V 300 V 3.0 A Collector current-peak 6.0 A IB Base current 2.0 A PT Total power dissipation 40 W Tj Junction temperature 125 ℃ Tstg Storage temperature -65~125 ℃ MAX UNIT 2.5 K/W EMIC VCBO Collector-base voltage Open emitter VCEO Collector-emitter voltage Open base IC ICM GE S N CHA IN Collector current TC=25℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance junction to case
TI
Texas Instruments Incorporated
U.S.A
世界25ヶ国以上に製造・販売拠点を有する国際的な半導体企業であり、デジタル情報家電、ワイヤレス、ブロードバンド市場に欠かせないデジタル信号処理を行うDSPと、それに関連するアナログIC、マイクロコントローラを主力製品としている。
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