PTBLA101BV ALLEGRO

部品型式

PTBLA101BV

製品説明
仕様・特性

MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors NPN . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105 VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106 VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107 • Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 8.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors • TO–220AB Compact Package *MAXIMUM RATINGS Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating Symbol Collector–Emitter Voltage VCEO VCB Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage TIP100, TIP105 TIP101, TIP106 TIP102, TIP107 Unit 60 80 100 Vdc 60 80 100 Vdc VEB IC Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C 5.0 Vdc 8.0 15 1.0 DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 – 80 – 100 VOLTS 80 WATTS Adc 80 0.64 *Motorola Preferred Device Adc IB PD Collector Current — Continuous Peak TIP100 TIP101* TIP102* PNP TIP105 TIP106* TIP107* Watts W/_C Unclamped Inductive Load Energy (1) E 30 mJ Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C PD 2.0 0.016 Watts W/_C TJ, Tstg – 65 to + 150 _C Operating and Storage Junction Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction to Case Characteristic RθJC 1.56 _C/W Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 62.5 _C/W CASE 221A–06 TO–220AB (1) IC = 1.1 A, L = 50 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 20 V, RBE = 100 Ω. PD, POWER DISSIPATION (WATTS) TA TC 4.0 80 3.0 60 TC 2.0 40 1.0 20 TA 0 0 0 20 40 60 80 100 T, TEMPERATURE (°C) 120 140 160 Figure 1. Power Derating Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value. REV 7 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 3–891

ブランド

供給状況

｜HOME｜個人情報保護方針｜