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TRSP3014S
TRSP3014S Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)300 V(BR)CBO (V)325 I(C) Max. (A)400m Absolute Max. Power Diss. (W)1.0 Maximum Operating Temp (øC)175’ I(CBO) Max. (A)3.0uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.25 h(FE) Max. Current gain.50Â @I(C) (A) (Test Condition)25m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq20M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time200p t(on) Max. (s) On time.
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