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RRR030P03TL
4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) 1.6 2.8 Features 1) Low On-resistance 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 3) 4V drive 0.3~0.6 0~0.1 (2) (1) 0.95 0.95 0.16 1.9 (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source (3) Drain Applications Switching Abbreviated symbol : UA Inner circuit (3) Packaging specifications Package Type ∗2 Taping (1) TL Code Basic ordering unit (pieces) ∗1 3000 RRR030P03 (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE (1) Gate (2) Source (3) Drain Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current Source current (Body diode) Total power dissipation Channel temperature Range of storage temperature Continuous Pulsed Continuous Pulsed Symbol VDSS VGSS ID IDP ∗1 IS ISP ∗1 PD ∗2 Tch Tstg Limits −30 ±20 ±3 ±12 −0.8 −12 1.0 150 −55 to +150 Unit V V A A A A W °C °C Symbol Rth(ch-a) ∗ Limits 125 Unit °C/W ∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1% ∗2 When mounted on a ceramic board Thermal resistance Parameter Channel to ambient ∗ When mounted on a ceramic board www.rohm.com c ○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 2009.04 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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