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部品型式

2SB1260T100R

製品説明
仕様・特性

2SB1260 / 2SB1181 Datasheet PNP -1.0A -80V Middle Power Transistor lOutline Parameter Value VCEO IC -80V -1.0A MPT3 Collector CPT3 Base Collector Emitter lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SD1898 / 2SD1733 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -500mA/ -50mA) Base 2SB1260 (SC-62) Emitter 2SB1181 (SC-63) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications Motor driver , LED driver Power supply Base Emitter lPackaging specifications Part No. Package Package size (mm) 2SB1260 MPT3 4540 T100 180 12 1,000 BE 2SB1181 CPT3 6595 TL 330 16 2,500 B1181 www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Taping code 1/7 Basic Reel size Tape width ordering (mm) (mm) unit (pcs) Marking 2013.07 - Rev.H Data Sheet 2SB1260 / 2SB1181 lElectrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.2 Typical Output Characteristics Fig.1 Ground Emitter Propagation Characteristics VCE= -5V Pulsed COLLECTOR CURRENT : IC [A] COLLECTOR CURRENT : IC [mA] -1000 -100 Ta=85ºC 25ºC -40ºC -10 -1 -0.1 -0 -0.5 -1 -1.5 COLECTOR TO EMITTE VOLTAGE : VCE [V] BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE [V] Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Current(I) Fig.4 DC Current Gain vs. Collector Current(II) 1000 1000 Ta=25ºC DC CURRENT GAIN : hFE DC CURRENT GAIN : hFE VCE= -3V 100 Ta=85ºC 25ºC -40ºC 10 -1 -10 -100 -1000 VCE= -3V -1V 10 -10000 COLLECTOR CURRENT : IC [mA] www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 100 -1 -10 -100 -1000 -10000 COLLECTOR CURRENT : IC [mA] 3/7 2013.07 - Rev.H

ブランド

ROHM

会社名

ローム株式会社

本社国名

日本

事業概要

炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

供給状況

 
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