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部品型式

2SC2655-YF

製品説明
仕様・特性

2SC2655 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES  Low saturation voltage:VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A)  High speed switching time:tstg=1μs(Typ.)  Complementary to 2SA1020 A D B K E CLASSIFICATION OF hFE (1) F C Product-Rank 2SC2655-O 2SC2655-Y Range 70-140 120-240 N G H  Emitter  Collector  Base M J L Collector  REF. A B C D E F G  Base  Emitter Millimeter Min. Max. 5.50 6.50 8.00 9.00 12.70 14.50 4.50 5.30 0.35 0.65 0.30 0.51 1.50 TYP. Millimeter Min. Max. 1.70 2.05 2.70 3.20 0.85 1.15 1.60 Max 0.00 0.40 4.00 Min REF. H J K L M N ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Collector to Base Voltage Collector to Emitter Voltage Emitter to Base Voltage Collector Current - Continuous Collector Power Dissipation Junction, Storage Temperature Symbol Rating Unit VCBO VCEO VEBO IC PC TJ, TSTG 50 50 5 2 0.9 150, -55~150 V V V A W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Collector to Base Breakdown Voltage Collector to Emitter Breakdown Voltage Emitter to Base Breakdown Voltage Collector Cut-Off Current Emitter Cut-Off Current V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE (1) hFE (2) VCE(sat) VBE(sat) fT Cob Ton Ts Tf 50 50 5 70 40 - 100 30 0.15 2 0.15 1 1 240 0.5 1.2 - V V V μA μA DC Current Gain Collector to Emitter Saturation Voltage Base to Emitter Saturation Voltage Transition Frequency Collector Output Capacitance Turn-on Time Switch Time Storage Time Fall Time http://www.SeCoSGmbH.com/ 28-Mar-2011 Rev. A V V MHz pF μs Test Conditions IC=100μA, IE=0 IC=10mA, IB=0 IE=100μA, IC=0 VCB=50V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=2V, IC=0.5A VCE=2V, IC=1.5A IC=1A, IB=0.05A IC=1A, IB=0.05A VCE=2V, IC=0.5A VCB=10V, IE=0, f=1MHz VCC=30V IB1= -IB2=0.05A IC=1A Any changes of specification will not be informed individually. Page 1 of 3

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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