HOME＞在庫検索＞在庫情報
1SS355TE-17PBF
1SS355 Diodes Switching diode 1SS355 Applications High speed switching Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 0.1±0.1 0.05 0.8MIN. 1.25±0.1 2.5±0.2 1.7±0.1 2.1 Features 1) Ultra small mold type.(UMD2) 2) High reliability. 0.9MIN. UMD2 Construction Silicon epitaxial planar 0.7±0.2 0.1 0.3±0.05 Structure ROHM : UMD2 JEDEC : S0D-323 JEITA : SC-90/A dot (year week factory) Taping specification (Unit : mm) φ1.55±0.05 2.0±0.05 0.3±0.1 4.0±0.1 1.40±0.1 2.8±0.1 2.75 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.05 1.0±0.1 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Forward current Average rectified forward current Surge current （t=1s） Junction temperature Storage temperature Limits 90 80 225 100 500 150 -55 to +150 Symbol VRM VR IFM Io Isurge Tj Tstg Unit V V mA mA mA ℃ ℃ Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time Symbol VF IR Ct Min. - Typ. - Max. 1.2 0.1 3 Unit V µA pF trr - - 4 ns Conditions IF=100mA VR=80V VR=0.5V , f=1MHz VR=6V , IF=10mA , RL=100Ω Rev.C 1/3 1SS355 Diodes 0.20 0.2 20 D=1/2 AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT:Io(A) 0.15 Sin(θ＝180) 0.1 0A 0V 0.05 Io t T 0 0 VR D=t/T VR=40V Tj=150℃ 25 50 75 100 125 AMBIENT TEMPERATURE:Ta(℃) Derating Curveﾞ(Io-Ta) ELECTROSTATIC DDISCHARGE TEST ESD(KV) DC DC 0.15 D=1/2 Sin(θ＝180) 0.10 0A 0V 0.05 Io t T VR D=t/T VR=40V Tj=150℃ 0.00 150 0 25 50 75 100 125 CASE TEMPARATURE:Tc(℃) Derating Curveﾞ(Io-Tc) 150 15 AVE:9.4kV 10 5 0 AVE:2.4kV C=200pF R=0Ω C=100pF R=1.5kΩ ESD DISPERSION MAP Rev.C 3/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
お買い上げ小計が１万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。１万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。（送料は地域により異なります。）
