HOME>在庫検索>在庫情報
1SS355
1SS355 Diodes Switching diode 1SS355 Applications High speed switching Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 0.1±0.1 0.05 0.8MIN. 1.25±0.1 2.5±0.2 1.7±0.1 2.1 Features 1) Ultra small mold type.(UMD2) 2) High reliability. 0.9MIN. UMD2 Construction Silicon epitaxial planar 0.7±0.2 0.1 0.3±0.05 Structure ROHM : UMD2 JEDEC : S0D-323 JEITA : SC-90/A dot (year week factory) Taping specification (Unit : mm) φ1.55±0.05 2.0±0.05 0.3±0.1 4.0±0.1 1.40±0.1 2.8±0.1 2.75 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 φ1.05 1.0±0.1 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Forward current Average rectified forward current Surge current (t=1s) Junction temperature Storage temperature Limits 90 80 225 100 500 150 -55 to +150 Symbol VRM VR IFM Io Isurge Tj Tstg Unit V V mA mA mA ℃ ℃ Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time Symbol VF IR Ct Min. - Typ. - Max. 1.2 0.1 3 Unit V µA pF trr - - 4 ns Conditions IF=100mA VR=80V VR=0.5V , f=1MHz VR=6V , IF=10mA , RL=100Ω Rev.C 1/3
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。