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部品型式

2SA733C

製品説明
仕様・特性

2SA733 -60 V, -150mA PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Complementary of the 2SC945 Collector to base voltage: -60V A L 3 3 MARKING C B Top View 1 Product 2SA733 1 Marking Code 2 CS K E 2 D F CLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA733-L 120~220 200~475 H J 2SA733-H Range G REF. A B C D E F PACKAGE INFORMATION Package MPQ 3K REF. G H J K L 7’ inch Millimeter Min. Max. 0.09 0.18 0.45 0.60 0.08 0.177 0.6 REF. 0.89 1.02 LeaderSize SOT-23 Millimeter Min. Max. 2.80 3.04 2.10 2.55 1.20 1.40 0.89 1.15 1.78 2.04 0.30 0.50 Collector 3 1 Base 2 Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Ratings Unit Collector to Base Voltage Parameter VCBO -60 V Collector to Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter to Base Voltage VEBO -5 V Collector Current - Continuous IC -150 mA Collector Power Dissipation PC 200 mW TJ, TSTG 150, -55 ~ 150 ° C Junction, Storage Temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Collector to Base Breakdown Voltage V(BR)CBO -60 - - V IC= -5µA, IE=0 Collector to Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO -50 - - V IC= -1mA, IB=0 Emitter to Base Breakdown Voltage V(BR)EBO -5 - - V IE= -50µA, IC=0 Collector Cut-Off Current ICBO - - -0.1 µA VCB= -60V, IE=0 Emitter Cut-Off Current IEBO - - -0.1 µA VEB= -5V, IC=0 DC Current Gain hFE 120 - 475 Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat) - -0.18 -0.3 V IC= -100mA, IB= -10mA Base to Emitter Saturation Voltage VBE(on) -0.58 -0.62 -0.68 V VCE= -6V, IC= -1.0mA fT 50 - - MHz VCE= -6V, IC= -10mA Cob - 4.5 7 pF VCB= -10V, IE=0, f=1MHz dB VCE= -6V, IC= -0.3mA, f=100Hz, RG=10K Transition Frequency Collector Output Capacitance Noise Figure http://www.SeCoSGmbH.com/ 21-Jan-2011 Rev. D NF - 6 20 Test Conditions VCE= -6V, IC= -1mA Any changes of specification will not be informed individually. Page 1 of 2

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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