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RQJ0603LGDQA
Preliminary Datasheet RQJ0603LGDQA R07DS0300EJ0600 Rev.6.00 Jan 10, 2014 Silicon P Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 158 mΩ typ (VGS = –10 V, ID = –0.9 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 D 3 G 1 1. Source 2. Gate 3. Drain 2 2 S 1 Note: Marking is “LG”. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body - drain diode reverse drain current Channel dissipation Channel temperature Storage temperature Symbol VDSS VGSS ID ID(Pulse) Note1 IDR Ratings –60 +10 / –20 –1.8 –4.5 –1.8 Unit V V A A A Pch Note2 Tch Tstg 0.8 150 –55 to +150 W °C °C Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1% 2. When using the glass epoxy board (FR-4: 40 × 40 × 1 mm) R07DS0300EJ0600 Rev.6.00 Jan 10, 2014 Page 1 of 7
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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