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SI5855DC-T1
Si5855DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 0.160 at VGS = - 2.5 V - 3.0 0.240 at VGS = - 1.8 V - 20 ID (A) - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VKA (V) Vf (V) Diode Forward Voltage IF (A) 20 0.375 V at 1 A 1.0 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • Ultra Low Vf Schottky • Si5853DC Pin Compatible • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Charging Circuit in Portable Devices S K D 1206-8 ChipFET® A 1 A K A K G S Marking Code D G JB XXX Lot Traceability and Date Code D Part # Code Bottom View Ordering Information: Si5855DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si5855DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol 5s Steady State Drain-Source Voltage (MOSFET) VDS Reverse Voltage (Schottky) VKA 20 Gate-Source Voltage (MOSFET) VGS Unit ±8 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)a TA = 25 °C TA = 85 °C ID - 20 - 3.6 Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)a IS Average Forward Current (Schottky) - 1.8 IFM Maximum Power Dissipation (MOSFET)a a Maximum Power Dissipation (Schottky) Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c - 1.9 - 10 IF Pulsed Forward Current (Schottky) - 2.7 - 2.6 IDM Pulsed Drain Current (MOSFET) V - 0.9 A 1.0 7 TA = 25 °C 2.1 1.1 TA = 85 °C 1.1 0.6 1.9 1.1 TA = 25 °C PD TA = 85 °C 1.0 TJ, Tstg W 0.56 - 55 to 150 260 °C Notes: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection. c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components. Document Number: 72232 S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
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