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2SC1942
Inchange Semiconductor Product Specification 2SC1942 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・High breakdown voltage ・High speed switching APPLICATIONS ・For TV horizontal output applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 体 半导 电 TOR UC Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 固 SYMBOL PARAMETER VCBO Collector-base voltage VCEO Collector-emitter voltage VEBO Emitter-base voltage CONDITIONS IC SEM E ANG CH IN OND IC Open base Open collector Collector current TC=25℃ UNIT 1500 V 800 V 6 V 3 Open emitter VALUE A 50 W PT Total power dissipation Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -65~150 ℃ VALUE UNIT 2.5 ℃/W THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-C PARAMETER Thermal resistance from junction to case
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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