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2SD1409
Inchange Semiconductor Product Specification 2SD1409 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・High DC current gain ・DARLINGTON APPLICATIONS ・Igniter applications ・High volitage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter 导体 半 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 固电 SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER Collector-base voltage INC Emitter-base voltage CONDITIONS MIC E SE ANG H Collector -emitter voltage OND Open emitter Open base Open collector TOR UC VALUE UNIT 600 V 400 V 5 V IC Collector current 6 A IB Base current 1 A PC Collector power dissipation TC=25℃ 25 W Ta=25℃ 2.0 Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~150 ℃
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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