HOME＞在庫検索＞在庫情報
2SA1329-Y
2SA1329Y Transistors Si PNP Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V)80 I(C) Max. (A)12 Absolute Max. Power Diss. (W)40 Maximum Operating Temp (øC) I(CBO) Max. (A) @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.120 h(FE) Max. Current gain.240 @I(C) (A) (Test Condition)1.0 @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq50M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.300n
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
お買い上げ小計が１万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。１万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。（送料は地域により異なります。）
